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富士IGBT

6MBI100S-120

富士IGBT 發(fā)表時(shí)間：2020-06-11 11:41:49 瀏覽次數(shù)：1122次

產(chǎn)品描述:

產(chǎn)品型號(hào)	參數(shù)說(shuō)明	下載
6MBI100S-120	100A/120V	/Attachment/20200611/90727425.pdf

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上bai驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過(guò)IGBT集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT的結(jié)溫。如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過(guò)高超過(guò)柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過(guò)集電極－發(fā)射極之間的耐壓,流過(guò)IGBT集電極－發(fā)射極的電流超過(guò)集電極－發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結(jié)溫超過(guò)其結(jié)溫的允許值,IGBT都可能會(huì)永久性損壞。

5E8B MG50Q6ES51A

5H6K MG35Q6ES50

5K2L MG25Q6ES51A

5M3C MG25Q6ES50