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SKKT57-16E

SKKT 57-16E
SKKT106-16E

SKKT106-16E
SKKT92-16E

晶體三極管(以下簡稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，(其中，N是負(fù)極的意思(代表英文中Negative)，N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P是正極的意思(Positive)是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電)。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e (Emitter)、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
SKKT273-16E

當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Eb。在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電子流。三極管是一種電流放大器件，但在實(shí)際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/span>
SKKT323-16E

電源Ub經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)，形成發(fā)射極電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個(gè)電流，因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散，被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因?yàn)榛鶇^(qū)很薄)與基區(qū)的空穴復(fù)合，擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
SKKT500-16E

三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式，如右圖:三極管是一種結(jié)型電阻器件，它的三個(gè)引腳都有明顯的電阻數(shù)據(jù)，測(cè)試時(shí)(以數(shù)字萬用表為例，紅筆+，黑筆-)我們將測(cè)試檔位切換至二極管檔 (蜂鳴檔)標(biāo)志符號(hào)如右圖:正常的NPN結(jié)構(gòu)三極管的基極(B)對(duì)集電極(C)、發(fā)射極(E)的正向電阻是430Ω-680Ω(根據(jù)型號(hào)的不同，放大倍數(shù)的差異，這個(gè)值有所不同)反向電阻無窮大;正常的PNP 結(jié)構(gòu)的三極管的基極(B)對(duì)集電極(C)、發(fā)射極(E)的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。集電極C對(duì)發(fā)射極E在不加偏流的情況下，電阻為無窮大。基極對(duì)集電極的測(cè)試電阻約等于基極對(duì)發(fā)射極的測(cè)試電阻，通常情況下，基極對(duì)集電極的測(cè)試電阻要比基極對(duì)發(fā)射極的測(cè)試電阻小5-100Ω左右(大功率管比較明顯)，如果超出這個(gè)值，這個(gè)元件的性能已經(jīng)變壞，請(qǐng)不要再使用。
SEMiX302GB066HDs

雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管:用不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管.。輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。
SEMiX305GARL07E3

IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個(gè)受電流IB控制的電流源。
特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對(duì)集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時(shí)的IC就是穿透電流ICEO。在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為:UCE=EC-ICRC, IC=βIB在放大區(qū)管子可等效為一個(gè)可變直流電阻。極間反向電流:是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。集電極-基極反向飽和電流ICBO :是集電結(jié)的反向電流。集電極-發(fā)射極反向飽和電流ICEO :它是穿透電流。
SEMiX604GB12E4s

一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成)，稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector)，它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)。
SEMIX604GB12T4S

這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓，即基極開路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時(shí)，集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的，即BJT處于放大狀態(tài)。溫度對(duì)的影響: 是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的，當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，更多的價(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大，增大。溫度每升高10 時(shí)，增加約一倍。硅管的比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對(duì)輸入特性的影響:溫度升高，正向特性將左移。溫度對(duì)輸出特性的影響:溫度升高時(shí) 增大。光電三極管:依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。