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全部產(chǎn)品

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2MBI650VXA-170E-50

產(chǎn)品主要應用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
2MBI800XNE120-50

產(chǎn)品主要應用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
2MBI900VXA-120E-50

產(chǎn)品主要應用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
6RI75G-120

IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。
MBRP40045

一種對工作頻率有明確標定的快速晶閘管則稱為高頻晶閘管(中國型號為KG)。例如KG50(20kHz),表示該高頻管的標稱工作頻率為20kHz，通態(tài)平均電流為50A(20kHz下正弦半波平均電流值)。80年代中期,中國已能生產(chǎn)KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐壓為1~1.2kV的高頻晶閘管。快速晶閘管采取的特殊措施，在一定程度上降低了靜態(tài)特性(如升高了通態(tài)壓降)，故限制了它直接工作于更高頻率的大功率電子設(shè)備。為滿足更高頻率下工作對晶閘管提出的特殊要求，開發(fā)了門極輔助關(guān)斷晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等。