IGBT模塊
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- 高速,低導(dǎo)通壓降 Tj=175℃ 電流在Tc=80℃ 標(biāo)稱 用于變頻器
- 高速,低導(dǎo)通壓降 UPS/EPS廠家廣泛采用
- 采用CSTBTTM硅片技術(shù),實現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低 - 采用CSTBTTM硅片技術(shù),實現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品 續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流 開關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
- 頻率5~20KHZ