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IGBT模塊

  • FF450R07ME4 -B11
    這是共發(fā)射極組態(tài)的擊穿電壓,即基極開路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。由于在基極開路時(shí),集電結(jié)是反偏、發(fā)射結(jié)是正偏的,即BJT處于放大狀態(tài)。溫度對的影響: 是集電結(jié)加反向電壓時(shí)平衡少子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的,當(dāng)溫度升高時(shí),熱運(yùn)動(dòng)加劇,更多的價(jià)電子有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛,從而使少子的濃度明顯增大, 增大。溫度每升高10 時(shí), 增加約一倍。硅管的 比鍺管的小得多,硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對輸入特性的影響:溫度升高,正向特性將左移。溫度對輸出特性的影響:溫度升高時(shí) 增大。
  • FF450R12KE
    輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下,基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性,可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V,鍺管的開啟電壓約為0.3V。輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量時(shí),集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系??杀硎緸?雙極型晶體管輸出特性可分為三個(gè)區(qū)截止區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān),這個(gè)狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。飽和區(qū):發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制,管子失去放大作用,UCE@0,IC=EC/RC,把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān),這時(shí)開關(guān)處于閉合狀態(tài)。
  • FF450R12KT4
    由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管,50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中,中間一層稱基區(qū),外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí),在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流,這就是晶體管的放大效應(yīng)。IC受IB的控制,與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個(gè)受電流IB控制的電流源。特性曲線平坦部分之間的間隔大小,反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小,間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0,表示基極開路,IC很小,此時(shí)的IC就是穿透電流ICEO。
  • FF450R12ME4_
    單極型晶體管也稱場效應(yīng)管,簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與導(dǎo)電,故稱為單極型晶體管。 特點(diǎn):輸入電阻高,可達(dá)107 ~ 1015 Ω,絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET) 可高達(dá) 1015 Ω。噪聲低,熱穩(wěn)定性好,工藝簡單,易集成,器件特性便于控制,功耗小,體積小,成本低。 分類:根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。
  • FF450R17ME4
    雙極型晶體管也稱晶體三極管,它是一種電流控制型器件,由輸入電流控制輸出電流,其本身具有電流放大作用。它工作時(shí)有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程,故稱為雙極型三極管。 特點(diǎn):
    三極管可用來對微弱信號(hào)進(jìn)行放大和作無觸點(diǎn)開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),故在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 分類:
    根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。
    硅三極管的反向漏電流小,耐壓高,溫度漂移小,且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大,頻率響應(yīng)好,尤其適用于低壓線路。
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