IGBT模塊
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- 最大反向電流IR:它是二極管在最高反向工作電壓下允許流過(guò)的反向電流,此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。因此這個(gè)電流值越小,表明二極管質(zhì)量越好。擊穿電壓VB:指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí),則指給定反向漏電流條件下的電壓值。最高工作頻率fm:它是二極管在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定,若工作頻率超過(guò)fm,則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流,如開(kāi)關(guān)電源中。
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IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。
- 反向恢復(fù)時(shí)間trr:指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及最大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間。零偏壓電容CO:指二極管兩端電壓為零時(shí),擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是,由于制造工藝的限制,即使同一型號(hào)的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊(cè)中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍,若測(cè)試條件改變,則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化,例如在25°C時(shí)測(cè)得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA,而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。
- (1)防雷、過(guò)電壓保護(hù)措施不力。整流裝置未設(shè)置防雷、過(guò)電壓保護(hù)裝置,即使設(shè)置了防雷、過(guò)電壓保護(hù)裝置,但其工作不可靠,因雷擊或過(guò)電壓而損壞整流管。(2)運(yùn)行條件惡劣。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組,因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤(pán)直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求,使發(fā)電機(jī)長(zhǎng)期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行,而整流管也就長(zhǎng)期處于較高的電壓下工作,促使整流管加速老化,并被過(guò)早地?fù)舸p壞。(3)運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運(yùn)行人員沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過(guò)電壓而將整流管擊穿損壞。
- 設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過(guò)關(guān)。由于發(fā)電機(jī)組長(zhǎng)期處于較大的振動(dòng)之中運(yùn)行,使整流管也處于這一振動(dòng)的外力干擾之下;同時(shí)由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時(shí)高時(shí)低,使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化,這樣便大大地加速了整流管的老化、損壞。整流管規(guī)格型號(hào)不符。更換新整流管時(shí)錯(cuò)將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯(cuò)誤,造成整流管擊穿損壞。整流管安全裕量偏小。整流管的過(guò)電壓、過(guò)電流安全裕量偏小,使整流管承受不起發(fā)電機(jī)勵(lì)磁回路中發(fā)生的過(guò)電壓或過(guò)電流暫態(tài)過(guò)程峰值的襲擊而損壞。