對IGBT進行檢測時，應選用指針式萬用表。首先將萬用表撥到R×1KΩ檔，用萬用表測量各極之間的阻值，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則此極為柵極（G）。再用萬用表測量其余兩極之間的阻值，若測得阻值為無窮大，調換表筆后阻值較小，當測量阻值較小時，紅表筆接觸的為集電極（C），黑表筆接觸的為發(fā)射極（E）。判斷IGBT好壞時必須選用指針式萬用表（電子式萬用表內部電池電壓太低），也可以使用9V電池代替。首先將萬用表撥到R×10KΩ檔（R×1KΩ檔時，內部電壓過低，不足以使IGBT導通），用黑表筆接IGBT的集電極（C）,紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發(fā)導通，萬用表的指針明顯擺動并指向阻值較小的方向并能維持在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。在檢測中以上現象均符合，可以判定IGBT是好的，否則該IGBT存在問題。
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與模塊片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在模塊器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般模塊片底部安裝有模塊風扇，當模塊風扇損壞中模塊片模塊不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對模塊風扇應定期進行檢查，一般在模塊片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?
三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
MOS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當于三極管的飽和區(qū))，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。
我們只是說電流可以從D--to--S ，也可以從S----to---D。但是并不意味著：D和S 這兩個端子的名字可以互換。
DS溝道的寬度是靠GS電壓控制的。當G固定了，誰是S就唯一確定了。如果將上面確定為S端的，認為是D。將原來是D的認為是S ，并且給G和這個S施加電壓，結果溝道并不變化，仍然是關閉的。當Vgs沒有到達Vth之前，通過驅動電阻R對Cgs充電，這個階段的模型就是簡單的RC充電過程。當Vgs充到Vth之后，DS導電溝道開始開啟，Vd開始劇烈下降。按照I=C*dV/dt ,寄生電容Cgd有電流流過 方向：G -->D 。按照G接點KCL Igd電流將分流IR，大部分驅動電流轉向Igd，留下小部分繼續(xù)流到Cgs。因此，Vgs出現較平坦變化的一小段。這就是miler平臺。
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