采用第6代IGBT硅片技術，損耗低 二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低 硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻 全系列共享同一封裝平臺 有條件接受客戶定制
采用第6代IGBT硅片技術，損耗低 硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻 封裝兼容第五代A/NF系列模塊
第6代CSTBTTM硅片技術帶來： 杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝 良好的匹配液體冷卻 多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接 端子孔徑與安裝定位孔徑一致 不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產品
續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內部寄生電感低
采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類產品 續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流 開關頻率可達30kHz 模塊內部寄生電感低
業(yè)務咨詢
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