可控硅半控半橋、全橋
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驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的保護(hù)電路通過(guò) v6 檢測(cè)到這一狀態(tài)后 ,一方面在 10μs 內(nèi)逐步降低柵壓 ,使 igbt進(jìn)入軟關(guān)斷狀態(tài) ,另一方面通過(guò)光耦 v2 向控制電路發(fā)出過(guò)流信號(hào)。 光電耦合驅(qū)動(dòng)器的最大特點(diǎn)是雙側(cè)都是有源的 ,由它提供的正向脈沖及負(fù)向封鎖脈沖的寬度可以不受限制 ,而且可以較容易地通過(guò)檢測(cè) igbt通態(tài)集電極電壓實(shí)現(xiàn)各種情況下的過(guò)流及短路保護(hù) ,并對(duì)外送出過(guò)流信號(hào)。目前國(guó)內(nèi)外都趨向于把這種驅(qū)動(dòng)器做成厚膜電路的形式 ,因此具有使用較方便 ,一致性及穩(wěn)定性較好的優(yōu)點(diǎn)。其不足之處是需要較多的工作電源。 例如 ,全橋式開(kāi)關(guān)電源一般需要四個(gè)工作電源 ,從而增加了電路的復(fù)雜性。驅(qū)動(dòng)器中的光電耦合器盡管速度較高 ,但對(duì)脈沖信號(hào)仍會(huì)有 1μs左右的滯后時(shí)間 ,不適應(yīng)某些要求較高的場(chǎng)合。 光電耦合器的輸入輸出間耐壓一般為交流2500v ,這對(duì)某些場(chǎng)合是不夠的。
確定igbt門(mén)極容量 在設(shè)計(jì)和選購(gòu)igbt 驅(qū)動(dòng)器之前,必須首先知道igbt 的門(mén)極負(fù)荷q,這是一個(gè)十分重要的參數(shù),但在igbt 的技術(shù)參數(shù)中生產(chǎn)廠家一般并不直接給出,而需要我們借助其它參數(shù)得到。igbt 具有mosfet 的輸入級(jí),在igbt的技術(shù)資料中往往有一個(gè)參數(shù)ciss,一般我們把它叫作輸入電容,該電容的測(cè)試往往是在ugs=0,uos=25v,f=1mhz 的情況下進(jìn)行,由于密勒效應(yīng), 該值往往比在ugs= o v 時(shí)要小,根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),igbt 的輸入電容一般滿(mǎn)足下面的公式 cin≈5ciss 一般simens 和 eupec 公司的igbt 滿(mǎn)足上述公式。
DSEI2X61-12B
DSEI2X101-06A
DSEI2X101-12A
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