在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認(rèn)識(shí):第一、hFE應(yīng)盡可能高，以便用最少的基極電流得到最大的工作電流，同時(shí)給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時(shí)在輸出和驅(qū)動(dòng)電路中降低損耗。

但是，如果考慮到開(kāi)關(guān)速度和電流容限，則hFE的最大值就受到限制;第二、中國(guó)的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來(lái)，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。

實(shí)際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個(gè)因素的影響，因而通過(guò)磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。

MDD 142-08 N1 

MDD 142-12 N1  

MDD 142-16 N1  

MDD 162-16 N1

MDD 312-16 N1 

MDD26 -14N1B 

MDD26-16IO1B  

MDD44-14IO1B

MDD56-14N1B  

MDD56-16N1B