全部產(chǎn)品
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- 為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降(特別是低輸出電壓應(yīng)用場合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)),則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí),必須最小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開關(guān)(MAX4544)可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)端調(diào)節(jié),該開關(guān)受控于MAX810L的輸出
- 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲,根據(jù)材料可分為2種:1、聚合物高分子PPTC;2、陶瓷CPTC兩種自恢復(fù)保險(xiǎn)絲。根據(jù)封裝形式又可分為2種:1、引線插件;2、SMD貼片。還可以根據(jù)電壓分為600V,250V,130V,120V,72V,60V,30V,24V,16V,6V等。聚合物PPTC的主要優(yōu)點(diǎn)有:常溫零功率電阻可以作得很小,大電流產(chǎn)品只有幾個(gè)毫歐姆,在路功耗較小,可以忽略不計(jì)、體積相對(duì)較小。可串聯(lián)在易損電路內(nèi)作過流保護(hù)、溫度保險(xiǎn)絲用,阻值突變速度快,在幾個(gè)ms數(shù)量級(jí),熱容小,恢復(fù)時(shí)間短,耐沖擊,可循環(huán)保護(hù)達(dá)8000次之多。PTC可以作過溫度保險(xiǎn)絲用,因此在電路中在一定程度上體現(xiàn)出了溫度保險(xiǎn)絲性能和溫度保險(xiǎn)絲作用。
- 對(duì)熔體來說,其動(dòng)作電流和動(dòng)作時(shí)間特性即熔斷器的安秒特性,也叫反時(shí)延特性,即:過載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長;過載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。對(duì)安秒特性的理解,我們從焦耳定律上可以看到Q=I*R*T,串聯(lián)回路里,熔斷器的R值基本不變,發(fā)熱量與電流I的平方成正比,與發(fā)熱時(shí)間T成正比,也就是說:當(dāng)電流較大時(shí),熔體熔斷所需的時(shí)間就較短。而電流較小時(shí),熔體熔斷所需用的時(shí)間就較長,甚至如果熱量積累的速度小于熱擴(kuò)散的速度,熔斷器溫度就不會(huì)上升到熔點(diǎn),熔斷器甚至不會(huì)熔斷。所以,在一定過載電流范圍內(nèi),當(dāng)電流恢復(fù)正常時(shí),熔斷器不會(huì)熔斷,可繼續(xù)使用。
- 從這里可以看出,熔斷器的短路保護(hù)性能優(yōu)秀,過載保護(hù)性能一般。如確需在過載保護(hù)中使用,需要仔細(xì)匹配線路過載電流與熔斷器的額定電流。例如:8A的熔體用于10A的電路中,作短路保護(hù)兼作過載保護(hù)用,但此時(shí)的過載保護(hù)特性并不理想。熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對(duì)于容量小的電動(dòng)機(jī)和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護(hù),因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的RQA系列熔斷器。對(duì)于較大容量的電動(dòng)機(jī)和照明干線,則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)嗄芰Α?/span>
- 一般情況下只要除去加載在熱敏電阻兩端的電壓,熱敏電阻即可復(fù)位;但如果外界環(huán)境溫度很高時(shí)(如150℃)熱敏電阻不能復(fù)位。高分子PTC熱敏電阻回復(fù)到低電阻狀態(tài)需要的時(shí)間取決于多種因素:產(chǎn)品的類型、裝配形式、結(jié)構(gòu)、外界溫度、斷路狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間等。一般復(fù)位時(shí)間小于幾分鐘,某些情況下只需幾秒鐘熱敏電阻即可復(fù)位。一旦排除故障和切斷電源,熱敏電阻即可復(fù)位,這時(shí)需要斷開電路(維持電流)使熱敏電阻冷卻。熱敏電阻中聚合物集體材料因冷卻收縮從而炭黑顆粒重新連接起來,使電阻降低。這與雙金屬片裝置的自動(dòng)復(fù)位不同。典型的雙金屬裝置即使故障沒有排除也能復(fù)位,這導(dǎo)致在故障狀態(tài)和保護(hù)狀態(tài)之間不停切換,這可能損壞設(shè)備。但高分子PTC熱敏電阻會(huì)保持在高電阻狀態(tài)直到故障排除。