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全部產(chǎn)品

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由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。
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單極型晶體管也稱場效應(yīng)管，簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。特點(diǎn)：輸入電阻高，可達(dá)107 ~ 1015 Ω，絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET) 可高達(dá) 1015 Ω。噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于控制，功耗小，體積小，成本低。分類：根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。
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雙極型晶體管也稱晶體三極管，它是一種電流控制型器件，由輸入電流控制輸出電流，其本身具有電流放大作用。它工作時有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程，故稱為雙極型三極管。特點(diǎn)：
三極管可用來對微弱信號進(jìn)行放大和作無觸點(diǎn)開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，故在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。分類：
根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。
硅三極管的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大，頻率響應(yīng)好，尤其適用于低壓線路。
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功率晶體管廣泛應(yīng)用于各種中小型電力電子電路作開關(guān)使用。GTR可用在如變頻器、逆變器、斬波器等裝置的主回路上。由于GTR無須換流回路，工作頻率也可比晶閘管至少高10倍，因此它能簡化線路，提高效率，在幾十千瓦的上述裝置中可以取代晶閘管。但GTR 的過載能力較差，耐壓也不易提高，容量較小。未采用復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)時，GTR的放大倍數(shù)較低（10倍上下）。比起容量較低的功率場效應(yīng)晶體管，GTR的開關(guān)頻率較低（采用復(fù)合結(jié)構(gòu)時，頻率僅為1千赫左右）。所以，功率晶體管的應(yīng)用受到一些限制。
自80年代中期以來，GTR正向大容量、復(fù)合管及模塊組件化等方向發(fā)展，將在幾百千瓦或更大容量的裝置中取代晶閘管。
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功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。晶體管是由三層雜質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成的器件，有三個電極，所以又稱為半導(dǎo)體三極管，晶體三極管等，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。

三極管是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極。

當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。