IGBT模塊
由于上述的原因，電子的態(tài)密度函數(shù)也發(fā)生了變化，塊體材料是拋物線，電子在這上面可以自由運(yùn)動；如果是量子點(diǎn)材料，它的態(tài)密度函數(shù)就像是單個的分子、原子那樣，完全是孤立的 函數(shù)分布，基于這個特點(diǎn)，可制造功能強(qiáng)大的量子器件。大規(guī)模集成電路的存儲器是靠大量電子的充放電實現(xiàn)的。大量電子的流動需要消耗很多能量導(dǎo)致芯片發(fā)熱，從而限制了集成度，如果采用單個或幾個電子做成的存儲器，不但集成度可以提高，而且功耗問題也可以解決。目前的激光器效率不高，因為激光器的波長隨著溫度變化，一般來說隨著溫度增高波長要紅移，所以現(xiàn)在光纖通信用的激光器都要控制溫度。如果能用量子點(diǎn)激光器代替現(xiàn)有的量子阱激光器，這些問題就可迎刃而解了。
基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已經(jīng)發(fā)展得很成熟，廣泛地應(yīng)用于光通信 、移動 通訊、微波通訊 的領(lǐng)域。量子級聯(lián)激光器是一個單極器件，是近十多年才發(fā)展起來的一種新型中、遠(yuǎn)紅外光源，在自由空間通信、紅外對抗和遙控化學(xué)傳感等方面有著重要應(yīng)用前景。它對MBE制備工藝要求很高，整個器件結(jié)構(gòu)幾百到上千層，每層的厚度都要控制在零點(diǎn)幾個納米的精度，中國在此領(lǐng)域做出了國際先進(jìn)水平的成果；又如多有源區(qū)帶間量子隧穿輸運(yùn)和光耦合量子阱激光器 ，它具有量子效率高、功率大和光束質(zhì)量好的特點(diǎn)，中國已有很好的研究基礎(chǔ)；在量子點(diǎn)（線）材料和量子點(diǎn)激光器等研究方面也取得了令國際同行矚目的成就。
表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。
帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝BQFP(quad flat package with bumper)QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右。陶瓷封裝C－(ceramic)例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。
玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝Cerdip此類封裝用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。
COB(chip on board)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽?/span>性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。
雙列直插式封裝DIP(dual in-line package)
插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip。
業(yè)務(wù)咨詢
1513253456