将夜猫腻小说,穿越小说排行榜,小说排行榜完结版

IGBT模塊

當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > IGBT模塊

2MBI650VXA-170E-50

產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
2MBI800XNE120-50

產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
2MBI900VXA-120E-50

產(chǎn)品主要應(yīng)用在：變頻器、逆變焊機、高頻感應(yīng)加熱、UPS電源、逆變電源、商用電磁爐等領(lǐng)域。
6RI75G-120

IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間，tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。
MSCD165-16

IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。